Wafer Manufacturing

Beim Rückseiten-Ätzen werden mehrere Mikrometer von der Rückseite des Substrats abgetragen. Typische Materialien sind Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Germanium (Ge) und Glas. Homogenität ist von entscheidender Bedeutung, wobei innerhalb eines Wafers 5%, von Wafer zu Wafer 10% und von Charge zu Charge eine „Gesamtdickenabweichung“ angestrebt wird. Die Kontrolle der Prozessparameter ist von entscheidender Bedeutung um die exotherme Reaktion zu steuern und einheitliche Ergebnisse zu gewährleisten.

„Stress Relief“ ist ein wichtiges Verfahren zur Verringerung von Substratspannungen, die durch schleifbedingte Risse entstehen. Dazu werden einige Mikrometer vom Substrat entfernt, in der Regel im Bereich von 5 bis 15µm. Ziel ist es, eine Gleichmäßigkeit von <3% innerhalb eines Wafers und 5% von Wafer zu Wafer zu gewährleisten. Die exotherme Reaktion, die mit diesem Prozess einhergeht, lässt sich durch eine wirksame Anlagensteuerung steuern.

Sicozone Clean ist eine vielseitige Lösung, die in der Chipherstellung weit verbreitet ist. Es dient verschiedenen Zwecken, einschließlich der Reinigung von organischen Stoffen und Metallen sowie der Durchführung von Oxidätzungen. Die Anwendungen reichen von der Vorimplantation bis zu Ofenprozessen, wobei Gate-Oxide, Tunnel-Oxide und Kanal-Oxide behandelt werden. Darüber hinaus kommt es im Advanced Packing zum Einsatz, um bereits gesägte Wafer zu reinigen. Zu den Standard-Benchmarks gehören Partikelzahlen unter 20 Additiven bei 0,12 µm, Kontaminationswerte unter 1E10 für Metalle und Uniformitäten unter 1 %. Zusätzlich zeichnet es sich durch einen minimalen Chemikalien- und Wasserverbrauch bei gleichzeitig hoher Reinigungseffizienz aus.

RCA Clean ist eine konventionelle Reinigungsmethode, bei der konzentrierte Medien zur Reinigung von organischen Stoffen und Metallen sowie zur Durchführung von Oxidätzungen in verschiedenen Halbleiterprozessen eingesetzt werden. Es entspricht den Industriestandards mit einer Partikelzahl unter 20 adders bei 0,12 µm, Metallkontaminationen unter 1E10 und einer Inhomogenität weniger als 1%.