Lösungsmittel eliminieren und Kosten deutlich senken

Trockenätzen entfernt Materialien von Halbleiter-Dünnfilmen mithilfe von Plasma in einem Vakuum.
Diese Methode bietet mehrere Vorteile, wie hohe Präzision und weniger Defekte im Endprodukt im Vergleich zum Nassätzen.

Ingenieure verwenden Trockenätzen bei Geräten mit kleinen Geometrien, um eine bessere Kontrolle bei der Formung vertikaler Wände zu erzielen. Es wird hauptsächlich in der Front-End-of-Line (FEOL)-Phase eingesetzt, um Transistorstrukturen zu definieren, und in der Back-End-of-Line (BEOL)-Phase, um komplexe Metallverbindungen zwischen Transistoren in der Halbleiterfertigung zu schaffen.

Rückstände nach dem Trockenätzprozess

Trockenätzen verursacht häufig Oberflächenkontaminationen und hinterlässt Rückstände, die einen zusätzlichen Reinigungsschritt erfordern. Dies gilt insbesondere für das Plasmaätzen, bei dem komplexe Chemikalien polymerartige Filme erzeugen. Diese Rückstände können spätere Prozessschritte wie Materialabscheidung oder Lithografie beeinträchtigen, was zusätzliche Reinigungsmaßnahmen erforderlich macht und den Prozess erschwert.

Lösungsmittel werden häufig zur Entfernung von Rückständen eingesetzt, weisen jedoch erhebliche Einschränkungen auf. Sie können zwar viele organische Rückstände effektiv entfernen, haben jedoch oft Schwierigkeiten mit anorganischen Materialien wie hartnäckigen Polymeren aus dem Trockenätzen. Lösungsmittel erreichen zudem schwer zugängliche tiefe oder schmale Strukturen nur begrenzt, wodurch Rückstände zurückbleiben können. Außerdem können sie mit empfindlichen Materialien wie bestimmten Metallen und Isolatoren reagieren oder diese beschädigen, was die Gerätequalität beeinträchtigen kann. Viele der heute verwendeten lösungsmittelbasierten Chemikalien sind krebserregend, mutagen oder reproduktionstoxisch, leicht entzündlich und umweltschädlich, was eine sorgfältige Handhabung und Entsorgung erfordert.

Gamechanger für die Entfernung von Polymeren

perc™, das patentierte Verfahren von Siconnex, bietet eine nachhaltige und kostensparende Methode zur Entfernung aller Arten von Polymeren nach Trockenätzprozessen, wie Metall-, Oxid-, Silizium- oder VIA-Ätzen. Diese Technologie macht Lösungsmittel bei der Polymerentfernung überflüssig und erreicht dennoch eine 100%ige Erfolgsrate. Sie schont die Umwelt, indem sie den Chemikalienverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen Reinigungsverfahren um bis zu 79,8 % reduziert. Gleichzeitig steigert sie die Wettbewerbsfähigkeit, indem die Waferproduktion um 140 % erhöht und die Verarbeitungskosten pro Wafer um 58,3 % gesenkt werden.