Packaging

Sicozone clean ist eine vielseitige Lösung, die in der Chipherstellung weit verbreitet ist. Es dient verschiedenen Zwecken, einschließlich der Reinigung von organischen Stoffen und Metallen sowie der Durchführung von Oxidätzungen. Die Anwendungen reichen von der Vorimplantation bis zu Ofenprozessen, wobei Gate-Oxide, Tunnel-Oxide und Kanal-Oxide behandelt werden. Darüber hinaus wird es in fortschrittlichen Verpackungsprozessen für gewürfelte Wafer eingesetzt. Zu den Standard-Benchmarks gehören Partikelzahlen unter 20 Additiven bei 0,12 µm, Kontaminationswerte unter 1E10 für Metalle und Uniformitäten unter 1 %. Darüber hinaus zeichnet es sich durch einen minimalen Chemikalien- und Wasserverbrauch bei gleichzeitig hoher Reinigungseffizienz aus.

Die kostengünstigste Methode zur Entfernung von Photolacken ist das Strippen mit Ozon. Das Ablösen von Fotoresist mit Ozon ist auch bei freiliegenden Metallen möglich. Die meisten Metalle werden durch Ozon als Oxidationsmittel nicht beeinträchtigt. Mit verschiedenen Parameteroptionen und unserem Know-how ist SicOzone auch eine Option in BEOL.

Plasma-Dicing ist die neueste Technologie. Sie wird angewendet, um Wafern mit sehr kleinen Chips und einer großen Anzahl von Dice-Spuren, zu schneiden. Das Dicing-Verfahren erzeugt Polymere und härtet den Fotolack. Beides ist schwer zu entfernen, besonders wenn es auf einem Waferrahmen montiert ist. Das PDC/PPDC-Verfahren löst beide Probleme, das Ablösen des Fotolacks und das Entfernen von Polymeren.

Beim Rückseiten-Ätzen werden mehrere Mikrometer von der Rückseite des Substrats abgetragen. Typische Materialien sind Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Germanium (Ge) und Glas. Homogenität ist von entscheidender Bedeutung, wobei innerhalb eines Wafers 5%, von Wafer zu Wafer 10% und von Charge zu Charge eine „Gesamtdickenabweichung“ angestrebt wird. Die Kontrolle der Prozessparameter ist von entschiedender Bedeutung um die exotherme reaktion zu steuern und einheitliche Ergebnisse zu gewährleisten.

„Stress Relief“ ist ein wichtiges Verfahren zur Verringerung von Substratspannungen, die durch schleifbedingte Risse entstehen. Dazu werden einige Mikrometer vom Substrat entfernt, in der Regel im Bereich von 5 bis 15µm. Ziel ist es, eine Gleichmäßigkeit von <3% innerhalb eines Wafers und 5% von Wafer zu Wafer zu gewährleisten. Die exotherme Reaktion, die mit diesem Prozess einhergeht, lässt sich durch eine wirksame Anlagensteuerung steuern.