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Die Trockenätzung in BEOL führt zu verschiedenen Arten von Polymeren. Das von Siconnex selbst entwickelte Post Etching Residue Clean PERC™ ermöglicht eine 100%ige Entfernung der Polymere.

Beim Entfernen eines Photolacks mittels Plasma bleiben einige Rückstände auf der Oberfläche zurück, diese werden „ash“ genannt. Um diese zu reinigen, gibt es mehrere Möglichkeiten. Entweder wird SicOzone oder ein lösungsmittelbasiertes Medium verwendet oder eine Mischung aus Schwefelsäure und Peroxid ist ebenfalls anwendbar.

Die beim Trockenätzen entstandenen Polymere werden mit lösungsmittelbasierten Medien abgewaschen.

Stark gestresste Photolacke lassen sich nur schwer entfernen. Aufgrund der hohen Temperatur und des starken Säuregehalts wird eine Mischung aus Schwefelsäure und Peroxid verwendet, die den Photolack leicht ablöst. Die Kompatibilität mit dem darunter liegenden Material ist entscheidend.

Unabhängig von der Art des Photolacks (negativ, positiv, implantiert oder gestresst) werden lösungsmittelbasierte Lösungen zum Entfernen dieser Photolacks verwendet.

Die kostengünstigste Methode zur Entfernung von Photolacken ist das Strippen mit Ozon. Das Ablösen von Fotoresist mit Ozon ist auch bei freiliegenden Metallen möglich. Die meisten Metalle werden durch Ozon als Oxidationsmittel nicht beeinträchtigt. Mit verschiedenen Parameteroptionen und unserem Know-how ist SicOzone auch eine Option in BEOL.

Wenn AlSi oder AlSiCu nass geätzt wird, bleiben die Siliziumkörner der Legierung auf der Oberfläche. Um sie zu entfernen, wird eine Freckle-Ätzung durchgeführt.

Um Kupfer zu galvanisieren, ist eine Keimschicht erforderlich. Nach dem Wachstum und der Entfernung des Photolacks muss auch die Keimschicht geätzt werden. Es gibt mehrere Methoden, um diese Ätzung durchzuführen.

Oxid muss in mehreren Phasen der Chipherstellung geätzt werden. Daher sind typische Mischungen wie BOE 7:1 oder 10:1, BHF und HF in verschiedenen Konzentrationen. Typische Uniformitätswerte für diesen Prozess sind: <1% innerhalb eines Wafers, <2% von Wafer zu Wafer und <2% von Charge zu Charge.

Materialien wie Au, Ag, Al, Cu, Cr, Mo, Ni, Ta, Pt oder Salizide werden in BEOL verwendet, um die einzelnen Bauteile am Chip zu verbinden und zu strukturieren. Mittels BATCHSPRAY^® Technologie trifft Homogenität auf Prozesskontrolle.

Ti, TiN, TiW und W sind die gängigen Materialien zur Herstellung von Barrieren. Häufig wird ein Stapel von mehr als zwei Schichten verwendet. Es gibt verschiedene Möglichkeiten, diese zu entfernen. Ein Vorteil ist das In-situ-Ätzen aller Schichten in einem einfachen Ätzschritt.

Typische Stacks wie Ag, Ni, Ti oder Au Ni, Ti oder Au Cu, Ni, Ti werden verwendet, um die Leitfähigkeit vom Chip zum Bump zu verbessern. Selektives Ätzen aller Schichten und die perfekte Unterätzungen in einem Zug.

Photomasken werden in der Lithografie zur Strukturierung von Wafern verwendet und müssen regelmäßig gereinigt werden. Verunreinigte Photomasken mit einer Größe von bis zu 9″ im Quadrat werden mit einer Schwefelsäure-Peroxid-Mischung gereinigt.

In der Regel wird der Photolack direkt nach der Strukturierung entwickelt. Bei bestimmten Anwendungen kann die Entwicklung jedoch auch innerhalb einer ganzen Charge von Wafern erfolgen, wobei typische Medien wie 2,6% TMAH oder 3,6% KOH verwendet werden.

In der Welt der Compound Semiconductor werden häufig Materialien wie GaAs, GaInP, AlInP, InP, GaN und andere verwendet. Für das Strukturieren, Ätzen und Enfernen dieser Materialien gibt es verschiedene Möglichkeiten.