Reinigen

Um Oxid im FEOL zu entfernen oder zu reduzieren, wird ein DHF-Schritt (Dilute Hydrofluoric Acid) durchgeführt. Mit der Inline-Spiking-Technologie sind DHF-Verhältnisse von 0,006% bis 0,15% möglich (49% HF).

Der Einsatz von Ammoniak, Ozon und DI-Wasser stellen eine Alternative zur Entfernung von organischen Rückständen der Wafer-Oberfläche dar. Das Verhältnis von DI-Wasser zu Ammoniak variiert von 50:1 bis 1000:1. Das bedeutet, dass sehr geringe Mengen Ammoniak in den DI-Wasserstrom eingebracht werden. Zusätzlich wird neben dem DI-Wasser-Ammoniak-Gemisch Ozon in Gasform eingebracht. Auf diese Weise wird die Effektivität direkt auf der Wafer-Oberfläche gesteigert.

Ähnlich wie bei der Entfernung von organischen Rückständen funktioniert auch die Reinigung von metallischen Rückständen. Die Mischung zur Reinigung metallischer Rückstände von der Wafer-Oberfläche besteht aus Salzsäure (HCl), Ozon und DI-Wasser. Das Verhältnis von DI-Wasser zu HCl variiert zwischen 300:1 bis 1000:1. Das bedeutet, dass sehr geringe Mengen HCl in den DI-Wasserstrom eingebracht werden. Zusätzlich wird neben dem DI-Wasser-HCl-Gemisch Ozon in Gasform eingebracht. Wenn keine Verunreinigung durch Edelmetalle erwartet wird, ist Ozon nicht erforderlich.